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一种半导体熔炉设备用辐射结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202220651030.9
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2022-03-24
申请人：
成都高真科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体熔炉设备用辐射结构
申请号	CN202220651030.9	申请日期	2022-03-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	成都高真科技有限公司	申请人地址	四川省成都市高新区科新路8号附19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都高真科技有限公司	当前权利人	成都高真科技有限公司
发明人	安重镒;李东根
代理机构	成都九鼎天元知识产权代理有限公司	代理人	黎飞

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体熔炉设备用辐射结构，包括辐射头，所述辐射头的辐射方向可朝向晶圆表面及晶圆边缘。本实用新型解决了现有技术存在的厚度分布不均、良率下降等不足。

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