磁传感装置的制造工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201310261010.6
IPC分类号：H01L43/12;H01L27/146;G01R33/09
申请日期：
2013-06-27
申请人：
上海矽睿科技有限公司

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著录项信息

专利名称	磁传感装置的制造工艺
申请号	CN201310261010.6	申请日期	2013-06-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-31	公开/公告号	CN104253210A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;G;0;1;R;3;3;/;0;9查看分类表>
申请人	上海矽睿科技有限公司	申请人地址	上海市长宁区定西路1328号3楼307室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海矽睿科技股份有限公司	当前权利人	上海矽睿科技股份有限公司
发明人	张挺;万旭东
代理机构	上海金盛协力知识产权代理有限公司	代理人	王松

摘要

本发明揭示了一种磁传感装置的制造工艺，包括：在基底上形成介质材料层；沉积磁性材料及保护材料；通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；沉积阻挡材料；沉积导电材料；通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保障磁传感器件的性能；去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。本发明采用阻挡层保护磁性材料，避免了此层介质材料层的采用，还可以减少一层光刻层，降低了成本。此外，本发明工艺有助于提升金属与磁性材料保护层的接触，从而提高器件性能，提升良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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