非晶质薄带的卷绕辊切换方法及切换装置

1.一种非晶质薄带的卷绕辊切换方法，其特征在于，
在使用2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的具有磁性的非晶质薄带的方法中，在切换至下一个卷绕辊时，使非晶质薄带接触下一个卷绕辊，并且，在使下一个卷绕辊接近冷却辊的状态下切断卷绕中的非晶质薄带，或者使下一个卷绕辊与冷却辊分离而在卷绕辊和下一个卷绕辊之间切断非晶质薄带，
在通过引导装置将切换后的非晶质薄带的前端部分按压在上述下一个卷绕辊表面上之后，进行卷入，切换卷绕辊。
2.根据权利要求1所述的非晶质薄带的卷绕辊切换方法，其特征在于，
在切换卷绕辊时，使上述非晶质薄带接触下一个卷绕辊，在卷绕辊和下一个卷绕辊之间切断薄带，在将所切断的非晶质薄带前端卷入下一个卷绕辊之前，通过在下一个卷绕辊圆周方向上的从与上述非晶质薄带接触的接触位置开始到卷入非晶质薄带为止的位置接近下一个卷绕辊而设置的引导装置，将所切断的上述非晶质薄带的前端压在下一个卷绕辊表面上，之后卷入非晶质薄带，切换卷绕辊。
3.一种非晶质薄带的卷绕辊切换装置，其特征在于，
在表面带磁性的2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的具有磁性的非晶质薄带的卷绕装置中，具有切换卷绕辊时在使铸造的非晶质薄带接触下一个卷绕辊之后切断非晶质薄带的切断机构，并且设置有引导装置，所述引导装置在下一个卷绕辊圆周方向上的从与非晶质薄带接触的接触位置开始到卷入非晶质薄带为止的位置接近下一个卷绕辊，用于将所切断的非晶质薄带的前端按压在卷绕辊表面上。
4.根据权利要求3所述的非晶质薄带的卷绕辊切换装置，其特征在于，
在非晶质薄带的前进方向上具有多个按压辊，所述按压辊在切换卷绕辊时按压铸造的非晶质薄带，使该非晶质薄带接触下一个卷绕辊，并且，在上述多个按压辊之间设置有切断上述非晶质薄带的刀具。

非晶质薄带的卷绕辊切换方法及切换装置\n技术领域\n[0001] 本发明涉及使用由2个以上的多个卷绕辊构成的卷绕装置在线卷绕利用冷却辊铸造而成的非晶质薄带的方法。\n背景技术\n[0002] 用于制造非晶质薄带的淬火凝固法包括单辊法以及双辊法等，但最通常的方法是单辊法。该单辊法是使熔融金属喷出到高速旋转的冷却辊表面，在该冷却辊上淬火凝固，连续地得到非晶质薄带的方法。在工业上规模制造时，通常需要对该淬火凝固了的非晶质薄带进行卷绕等来进行回收。对于紧随铸造非晶质薄带之后在线进行卷绕的卷绕方法，至今为止提出了各种方法以及装置，但通常采用使用卷绕辊通过卷绕辊的旋转进行卷绕的方法以及装置。例如，在日本特开平8-318352号公报提出了如下卷绕方法，即，对具有磁性的非晶质薄带使用表面带有磁性的卷绕辊，使得捕捉非晶质薄带的前端时的卷绕辊表面速度的范围为冷却辊表面速度的90％以上100％不足。但是，在仅使用1个卷绕辊进行卷绕时，在设备上会制约非晶质薄带的卷绕重量，此外需要使铸造速度、卷绕速度、张力等卷绕条件均衡，所以通常使用多个卷绕辊进行卷绕。\n[0003] 此外，作为使用多个卷绕辊的卷绕装置存在由表面带有磁性的2个以上的卷绕辊构成的旋转传送带(carousel)式的卷绕装置等。\n[0004] 在多个卷绕辊连续卷绕铸造薄带时，需要切换卷绕辊，但在使用表面带磁性的卷绕辊的情况下，瞬间切换至其他的卷绕辊稳定地卷绕非晶质薄带是很困难的。因此，在日本特开平11-28552号公报中提出了如下方法，即，使高速旋转的下一个卷绕辊从下方进入卷绕中的薄带路线(path line)并使卷绕辊与薄带接触，在2个卷绕辊间的限定位置上切断薄带，使薄带缠绕在下一个卷绕辊上。在该提案的切换的方法中，使切断位置和下一个卷绕辊的距离L1与下一个卷绕辊和冷却辊的距离L2之间的关系为L1≥L2/20，而且薄带速度和卷绕辊速度之差在±2m/秒以内。\n[0005] 但是，在上述日本特开平11-28552号公报中公开的方法中，切断后的非晶质薄带的前端被下一个卷绕辊捕捉，但是产生在紧随切换之后非晶质薄带发生破裂等不能够照旧继续卷绕的情况，从而不能够可靠地切换卷绕辊。\n发明内容\n[0006] 本发明提供使用具备表面带磁性的多个卷绕辊的旋转传送带方式的卷绕装置，在卷绕非晶质薄带时，简便且价格便宜，而且薄带不破裂，能够可靠地切换卷绕辊的非晶质薄带的卷绕辊切换方法以及装置。\n[0007] 本发明是为了解决上述课题而提出的，其主旨是，\n[0008] 1)一种非晶质薄带的卷绕辊的切换方法，其特征在于，在使用2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的具有磁性的非晶质薄带的方法中，在切换卷绕辊时，使非晶质薄带接触下一个卷绕辊，并且，在使下一个卷绕辊接近冷却辊后的状态下切断卷绕中的非晶质薄带，或者使下一个卷绕辊与冷却辊分离而在卷绕辊和下一个卷绕辊之间切断非晶质薄带，从而通过下一个卷绕辊卷绕非晶质薄带；\n[0009] 2)根据1)所述的非晶质薄带的卷绕辊切换方法，其特征在于，在使用2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的具有磁性的非晶质薄带的方法中，在切换卷绕辊时，在通过多个按压辊向非晶质薄带的前进方向按压铸造后的非晶质薄带而使其接触在下一个卷绕辊上之后，利用在上述按压辊之间设置的用于切断上述薄带的刀具切断上述薄带，从而切换为下一个卷绕辊；\n[0010] 3)根据1)所述的非晶质薄带的卷绕辊切换方法，其特征在于，在使用2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的非晶质薄带的方法中，在切换卷绕辊时，使上述非晶质薄带接触下一个卷绕辊，并且在使下一个卷绕辊接近冷却辊后的状态下切换卷绕中的非晶质薄带，通过下一个卷绕辊卷绕非晶质薄带；\n[0011] 4)根据1)～3)中任一项所述的非晶质薄带的切换方法，其特征在于，在使用2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的非晶质薄带的方法中，在切换至下一个卷绕辊时，在通过引导装置将切换后的非晶质薄带的前端部分按压在上述下一个卷绕辊表面上之后，进行卷入，切换卷绕辊；\n[0012] 5)根据1)所述的非晶质薄带的切换方法，其特征在于，在使用2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造而成的非晶质薄带的方法中，在切换卷绕辊时，使上述非晶质薄带接触下一个卷绕辊，在卷绕辊和下一个卷绕辊之间切断薄带，在将所切断的非晶质薄带前端卷入下一个卷绕辊之前，通过在下一个卷绕辊圆周方向上的从与上述非晶质薄带接触的接触位置开始到卷入非晶质薄带为止的位置接近下一个卷绕辊而设置的引导装置，将所切断的上述非晶质薄带的前端压在下一个卷绕辊表面上，之后卷入非晶质薄带，切换卷绕辊；\n[0013] 6)一种非晶质薄带的切换装置，其特征在于，在使用表面带磁性的2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造的具有磁性的非晶质薄带的卷绕装置中，具有在切换卷绕辊时在使铸造的非晶质薄带接触下一个卷绕辊之后切断非晶质薄带的切断机构，并且，设置有引导装置，所述引导装置在下一个卷绕辊圆周方向上的从与非晶质薄带接触的接触位置至卷入非晶质薄带为止的位置接近下一个卷绕辊，用于将所切断的非晶质薄带的前端按压在卷绕辊表面上；\n[0014] 7)根据6)所述的非晶质薄带的切换装置，其特征在于，在使用表面带磁性的2个以上的卷绕辊卷绕利用冷却辊铸造的具有磁性的非晶质薄带的卷绕装置中，在非晶质薄带的前进方向上具有多个按压辊，所述按压辊在切换卷绕辊时按压铸造的非晶质薄带，使其接触下一个卷绕辊，并且，在上述多个按压辊之间设置有切断上述非晶质薄带的刀具，并设置有引导装置，所述引导装置在下一个卷绕辊圆周方向上的从与非晶质薄带接触的接触位置至卷入非晶质薄带为止的位置接近下一个卷绕辊，用于将所切断的非晶质薄带的前端按压在卷绕辊表面上。\n附图说明\n[0015] 图1(a)是表示本发明的非晶质薄带的卷绕辊切换方法的卷绕开始状态的图。\n[0016] 图1(b)是表示稳定状态下的卷绕状态的图。\n[0017] 图1(c)是表示为了进行切换，卷绕装置旋转，非晶质薄带与卷绕辊接触的状态的图。\n[0018] 图1(d)是表示卷绕装置移动，接近冷却辊后的状态的图。\n[0019] 图1(e)是表示切断非晶质薄带后的状态的图。\n[0020] 图1(f)是表示卷入非晶质薄带前端部分的状态的图。\n[0021] 图1(g)是表示切换至下一个卷绕辊后的状态的图\n[0022] 图2(a)表示本发明的非晶质薄带的卷绕辊切换方法的卷绕开始状态的图。\n[0023] 图2(b)是表示卷绕装置旋转，非晶质薄带接触卷绕辊后的状态的图。\n[0024] 图2(c)是表示稳定状态下的卷绕状态的图。\n[0025] 图2(d)是表示切断非晶质薄带后的状态的图。\n[0026] 图2(e)是表示卷入非晶质薄带前端部分的状态的图。\n[0027] 图2(f)是表示切换至下一个卷绕辊后的状态的图。\n[0028] 图3是表示本发明的非晶质薄带的卷绕辊切换装置的示意图(侧视图)。\n[0029] 图4是表示本发明的卷绕辊切换状态的示意图(侧视图)。\n[0030] 图5是表示本发明的卷绕辊切换时的非晶质薄带的切断状态的示意图(侧视图)。\n[0031] 图6是表示本发明的切换后的卷绕辊的刚卷绕非晶质薄带之后的卷绕状态的示意图(侧视图)。\n[0032] 图7是表示本发明的切换后的卷绕辊的卷绕状态的示意图(侧视图)。\n[0033] 图8是表示本发明的切换后的卷绕辊的继续卷绕的状态的示意图(侧视图)。\n[0034] 图9是表示本发明的引导装置的引导位置的示意图。\n[0035] 图10是表示本发明的引导装置的退避位置的示意图。\n[0036] 图11是表示本发明的引导装置的其他实施例的示意图。\n[0037] 附图标记说明\n[0038] 1漏斗\n[0039] 2熔融金属\n[0040] 3喷嘴\n[0041] 4冷却辊\n[0042] 5旋转传送带式卷绕装置\n[0043] 6卷绕辊\n[0044] 7卷绕辊\n[0045] 8切断装置\n[0046] 9臂\n[0047] 10切断机构\n[0048] 11按压辊\n[0049] 12按压辊\n[0050] 13切断刀具\n[0051] 14引导装置\n[0052] 15导辊\n[0053] 16导板\n[0054] 17引导位置的移动机构\n[0055] A设备移动方向\n[0056] B设备移动方向\n[0057] C非晶质薄带\n[0058] D设备移动方向\n[0059] E设备移动方向\n[0060] F设备移动方向\n[0061] H设备移动方向\n[0062] P路线\n[0063] P′路线\n[0064] S卷绕辊和冷却辊之间的间隙\n[0065] T切断后的非晶质薄带前端部分\n[0066] I切断装置的待机位置\n[0067] J切断装置的运转位置\n[0068] K引导装置的引导位置\n[0069] L引导装置的退避位置\n[0070] G1导辊和卷绕辊之间的间隙\n[0071] G2导板和卷绕辊之间的间隙\n[0072] M卷绕辊7和非晶质薄带的接触位置\n[0073] R非晶质薄带卷入部\n具体实施方式\n[0074] 基于图1(a)～(g)以及图2(a)～(f)说明本发明。图1(a)～(g)是表示采用具备2个卷绕辊的旋转传送带方式的卷绕装置时的本发明的非晶质薄带的卷绕辊切换方法中的一个方式的概要。图2(a)～(f)是表示采用上述旋转传送带方式的卷绕装置时的本发明的非晶质薄带的卷绕辊切换方法的另一方式的概要。\n[0075] 在图1(a)中，漏斗1内的熔融金属2经由喷嘴3喷射至高速旋转的冷却辊4的表面，经过淬火凝固成为非晶质薄带，并通过接近冷却辊4的旋转传送带方式的卷绕装置5开始卷绕。为了可靠地捕捉非晶质薄带的前端，卷绕开始时的冷却辊4和卷绕辊6之间的间隙在相互不碰撞的情况下尽可能接近最好，优选范围在100mm以下，更优选在10mm以下。该旋转传送带方式的卷绕装置5具有由在相对置的位置上分别设置的卷绕辊6、7交替进行卷绕的结构，在一侧的卷绕辊6卷绕某固定量的非晶质薄带之后，切换至相对置的另一侧的卷绕辊7进行卷绕作业。这些卷绕辊6、7将永久磁铁埋入各辊的表面(优选卷绕辊表面上的磁力在1000G以上)，并具有通过该磁铁的力捕捉非晶质薄带C的前端，之后通过卷绕辊的旋转进行卷绕的功能。在该卷绕装置5的上方配设与另外设置的驱动机构(未图示)连接的切断装置8。\n[0076] 在图1(a)中，卷绕装置5通过卷绕辊6捕捉到非晶质薄带C的前端之后，向箭头A方向移动，以便避免因卷绕辊6卷绕变粗而与冷却辊4接触，以及在卷绕装置5旋转时卷绕辊6与冷却辊4干涉，接着向箭头B方向旋转，在图1(b)的状态下稳定地继续卷绕。此时，卷绕辊6在所相对置的下一个卷绕辊7接触由冷却辊4的表面和卷绕辊6形成的路线P中的非晶质薄带C的表面之前处于待机的状态下，卷绕非晶体薄带C。在此，下一个卷绕辊7以与路线P(非晶质薄带C)的移动速度大致相等的表面速度向路线P的移动方向旋转。在卷绕辊6卷绕规定量的非晶质薄带C时进行卷绕辊的卷绕切换，而在进行卷绕切换时，为了使非晶质薄带C接触下一个卷绕辊7使卷绕装置5在箭头D方向上旋转，停止在图1(c)的位置上。此时下一个卷绕辊7的停止位置是非晶质薄带C与卷绕辊7接触的位置即可，由于卷绕辊的磁力的关系，非晶质薄带C与卷绕辊7需要至少接触50mm以上。此后，向箭头E方向移动卷绕装置5，如图1(d)所示，在与冷却辊4接近后的位置上停止。此时，卷绕装置\n5的下一个卷绕辊7与冷却辊4之间的间隙S在不碰撞的情况下尽可能的接近最好，只要在1mm以上200mm以下即可，优选在1mm以上100mm以下。在卷绕辊7接近冷却辊4后的位置上，如图1(e)所示，在卷绕装置5的上方设置的切断装置8向箭头F方向移动，在卷绕辊6以及卷绕辊7之间切断非晶体薄带C。此时捕捉到的非晶质薄带前端部分T如图1(f)所示，因空气阻力而鼓起，但由于卷绕辊7和冷却辊4接近，非晶质薄带前端部分T在通过卷绕辊7和冷却辊4的间隙S时被折回，以与卷绕辊7紧贴的状态被卷入，如图1(g)所示，从而非晶质薄带不破裂地进行切换。另外，为了不干涉设备，切断装置8在进行切断后立即向H方向移动，在卷绕装置5的上方待机。\n[0077] 本发明人不但考虑实现非晶质带的切断以及稳定地捕捉前端，还探求非晶质薄带破裂，卷绕切换失败的原因，设置高速摄像机分析切换时状态的结果，证实了在该非晶质薄带前端部分T的形状较大鼓起的情况下卷入时非晶质薄带发生破裂。而且通过实验得知若将该非晶质薄带前端部分T压在卷绕辊7上则能够避免破裂。因此，得到了在通过使冷却辊4与卷绕辊7接近，在其间隙S中使非晶质薄带前端T通过时，将薄带前端部分稳定地压在卷绕辊上的方法。此方法由于活用已有的冷却辊4将非晶质薄带前端部分T压在卷绕辊\n7上，所以能够在不需要引入用于按压的附加设备的情况下价格低廉且稳定地进行卷绕切换。\n[0078] 卷绕辊交换装置(未图示)拔出卷绕有非晶质薄带的卷绕辊6，并安装新的卷绕辊。卷绕有非晶质薄带的卷绕辊6被搬运装置(未图示)搬运至下一个工序。在安装新的卷绕辊之后，该卷绕辊7的位置回转，在图1(b)的卷绕辊6的位置上稳定地进行卷绕。反复进行这些一系列的工序进行规定个数的卷绕。\n[0079] 在图2(a)～(f)的本发明的其他方式中，在图2(a)中卷绕装置5在通过卷绕辊6捕捉非晶质薄带C的前端之后，向箭头A方向移动，接着向箭头B方向旋转，但如图2(b)所示，在非晶质薄带C接触下一个卷绕辊7的位置上停止，接着向箭头E方向移动，如图2(c)所示，在接近冷却辊4的位置上停止。在该图2(c)的状态下，稳定地继续卷绕。在卷绕辊6的卷绕成为规定量时，进行卷绕辊的卷绕切换，如图2(d)所示，通过在卷绕装置5的上方设置的切断装置9，在卷绕辊6以及卷绕辊7之间切断非晶质薄带C。非晶质薄带前端部分T如图2(e)所示，在通过卷绕辊7和冷却辊4的间隙S时被折回，以与卷绕辊7紧贴的状态被卷入，如图2(f)所示，非晶质薄带不破裂地进行切换。\n[0080] 卷绕辊交换装置(未图示)拔出卷绕有非晶质薄带的卷绕辊6，安装新的卷绕辊。\n卷绕有非晶质薄带的卷绕辊6被搬运装置(未图示)搬运，送至下一个工序。在安装新的卷绕辊之后，卷绕装置5移动、旋转，经由图2(b)的状态在图2(c)的状态下稳定地继续卷绕。反复进行这些一系列的工序，进行规定个数的卷绕。\n[0081] 使用图1(a)～(g)、图2(a)～(f)说明了本发明，可以想到稳定的卷绕位置为图\n2(b)，将图1(a)中向箭头A的移动后作为卷绕后的卷绕辊交换的位置等，但只要是在使非晶质薄带接触卷绕辊7，卷绕辊7和冷却辊4接近后，切断非晶质薄带8的方法就全都是本发明。此外在下一个卷绕辊和冷却辊分离，在卷绕辊和下一个卷绕辊之间切断非晶质薄带，通过下一个卷绕辊卷绕非晶质薄带的情况下，实施以下方法。\n[0082] 图3是表示采用具备2个卷绕辊的旋转传送带方式时的本发明的非晶质薄带的卷绕辊切换装置的概略结构例的示意图。图4是表示通过按压辊使卷绕中的非晶质薄带(在图3～8中示出了在非晶质薄带的前进方向上排列2个按压辊的例子)接触下一个卷绕辊的状态的示意图，图5是表示用切断刀具切断非晶质薄带后的状态的示意图，图6是表示在切断非晶质薄带后，下一个卷绕辊捕捉非晶质薄带前端，通过引导装置将非晶质薄带前端压在卷绕辊表面上之后卷入薄带前端部，开始进行卷绕的状态的示意图，图7是表示按压辊以及引导装置退避后的状态的示意图，图8是表示下一个卷绕辊开始进行卷绕后的状态的示意图。根据图3～8说明卷绕辊切换的工序。\n[0083] 在图3中，漏斗1内的熔融金属2经由喷嘴3喷射在高速旋转的冷却辊4的表面上，淬火凝固成为非晶质薄带C，通过与冷却辊4接近设置的旋转传送带方式的卷绕装置5卷绕非晶质薄带C。该旋转传送带方式的卷绕装置5具有通过在相对置的位置上分别设置的卷绕辊6、7交替进行卷绕的结构，在通过一侧的卷绕辊6卷绕某固定量的非晶质薄带C之后，进行切换至相对置的另一个卷绕辊7进行卷绕作业。对于这些卷绕辊6、7而言，永久磁铁埋入各辊表面中，并具有通过该磁铁的力捕捉薄带C的前端，之后通过卷绕辊的旋转进行卷绕的功能。\n[0084] 如图4所示，在下一个卷绕辊7圆周方向的从与非晶质薄带接触的接触位置M至卷入非晶质薄带的位置R之间接近卷绕辊7地设置引导装置14。该引导装置14在卷绕开始时或旋转传送带式卷绕装置5进行卷绕辊切换后进行旋转的情况下，如图10所示退避至卷绕辊6、7的轴向的退避位置L，以便不干涉设备，并且具有移动机构17，以便如图9所示，在卷绕辊的位置上稳定地继续卷绕时，引导装置14移动到与卷绕辊7接近的引导位置K上。在该例中示出了卷绕辊轴侧的移动例，但只要不干涉设备，相对于卷绕辊表面在垂直方向上移动等的移动机构也可以，没有限定。为了将图5所示的非晶质薄带前端部分T压在卷绕辊7的表面上，引导装置14由导辊15和导板16构成，所述导板16用于将通过导辊\n15后的非晶质薄带前端部分T导入下一个卷绕辊7的卷入部R(参照图3)。为了不受埋入卷绕辊表面的永久磁铁的影响，优选该导辊15和导板16为铝等非磁性材料，但也可以使用磁性材料。导辊15和卷绕辊7的间隙G1以及导板16和卷绕辊7的间隙G2在1mm以上\n200mm，优选1mm以上100mm以下。间隙G1为上述范围的理由是，通过实验得知，若间隙G1为200mm以上则不能够有效地将非晶质薄带前端部分L压在卷绕辊7上，此外在1mm以下的情况下，非晶质薄带前端部分T难于通过导辊15、导板16。此外，只要导辊15、导板16的宽度具有非晶质薄带宽度以上的宽度即可，辊径、板厚没有特别限定，但需要不出现强度不足或干涉设备的情况。在该例中使用导辊15和导板16作为用于将非晶质薄带前端部分T压在卷绕辊7的表面上的引导装置14，但可以单独设置将非晶质薄带前端部分T压在卷绕辊7上的形状，例如如图11所示的导辊、半圆柱、三棱柱、四棱柱、导板等的形状(优选非晶质薄带的进入侧的间隙大且缓缓变窄的结构)，也可以组合上述形状的部件，设置多个。其中，通过预先的实验等设定合适的间隙。\n[0085] 在图3的卷绕装置5的上方配设与另外设置的驱动机构(未图示)连接的切断装置8。该切断装置8连接切断机构10，所述切断机构10内置有在臂9前端配置于非晶质薄带的前进方向上的按压辊11、12，并且在位于这些按压辊11、12的大致中间，且相对于薄带路线P从上方进入的方向上，内置有切断刀具13。上述2个按压辊11、12具有与卷绕辊6、\n7的旋转轴平行的旋转轴，具有与卷绕辊6、7相同的宽度。该按压辊11、12的宽度只要具有薄带宽度以上的宽度即可，以便稳定地按压非晶质薄带C，按压辊的直径只要在切断刀具\n13的行程以下即可。此外，上述切断装置8圆弧状地转动，以便在切断薄带C时接近卷绕辊\n6。在该例中切断装置8圆弧状地转动，但也可以是其他被向上下方向驱动来接近卷绕辊6的装置。\n[0086] 在图3的卷绕工序中，在稳定的状态下，在卷绕辊6所对置的下一个卷绕辊7与由冷却辊4的表面和卷绕辊6形成的路线P中的非晶质薄带C的表面相接触之前成为待机的状态下，卷绕辊6卷绕非晶质薄带C。在此，卷绕辊7以与路线P(非晶质薄带C)的移动速度大致相等的表面速度向路线P的移动方向旋转。在下一个卷绕辊7圆周方向的从与非晶质薄带接触的接触位置至卷绕非晶质薄带的位置上，引导装置14接近卷绕辊7，处于待机。\n该引导装置14从稳定状态下图10所示的退避位置L移动至图9所示的引导位置K。\n[0087] 接着，如图4所示，在卷绕辊6卷绕某固定量的非晶质薄带C时，从卷绕辊6和下一个卷绕辊7之间的上方，使切断装置8从I位置圆弧状转动至J位置，内置于切断机构10中的2个按压辊11、12按压非晶质薄带C，在下一个卷绕辊7上使非晶质薄带C接触卷绕辊周长的1/2以下，优选至少50mm以上。此时，与卷绕辊6的卷绕量无关地，而且，与冷却辊\n4的大小无关地(在通常使用中，由于实施研削，研磨，冷却辊4的直径减小)，通过配置多个按压辊(在该例中为按压辊11、12的2个)，按压辊11、12形成的非晶质薄带切断部的路线P′一直为固定的位置关系。\n[0088] 进一步，如图5所示，通过使另外设置有在与非晶质薄带C接触的按压辊11、12之间设置的切断刀具13的切断刀具上升和下降机构(未图示)的动作，使切断刀具下降而接触非晶质薄带C，进行切断，由于非晶质薄带的路线P′一直保持固定的位置关系，所以非晶质薄带和切断刀具13之间的关系也固定，从而能够稳定地切断非晶质薄带。\n[0089] 如图5所示，通过下一个卷绕辊7表面的磁力捕捉所切断的非晶质薄带C的前端。\n在此，使非晶质薄带C接触卷绕辊周长的1/2以下的原因是，若使接触多于冷却辊周长的\n1/2，不仅需要臂9的下降机构还需要伸缩机构等，从而设备复杂化，设备价格变高。此外，从试验中得出，作为优选的长度，接触50mm以上的理由是，在表面带磁力的卷绕辊(表面上的磁力为1000G以上)中，若接触50mm以上的非晶质薄带，则可能100％地捕捉到非晶质薄带的前端部。\n[0090] 此时，捕捉到的非晶质薄带的前端部分T如图5所示，受空气阻力而折回。通过图\n6所示的引导装置14，该前端部分T被导辊15压在卷绕辊7上，而且通过导板16，将按压在卷绕辊7上的非晶质薄带导入卷入部R，卷绕非晶质薄带前端。\n[0091] 本发明人不但考虑实现稳定地切断非晶质带以及捕捉前端，还探求了在变更铸造速度或板厚等时非晶质薄带破裂，卷绕切换失败的原因，设置高速摄像机分析切换时的状态，结果得出其起因在于该非晶质薄带前端部分T的折回形状。即，在该折回的前端部T的形状较大鼓起时，在非晶质薄带的卷入部R产生非晶质薄带的破裂。因此，通过导辊15将该前端部压在卷绕辊7上，能够防止非晶质薄带前端部分T的折回部鼓起，而且导板16将按压在卷绕辊7上的非晶质薄带导入卷入部R，由此可知在无论怎样的条件下，都能够不产生薄带破裂地进行切换。\n[0092] 在下一个卷绕辊7上卷入非晶质薄带前端之后，如图7所示，切断装置8退避返回至原来的位置，如图10所示，为了不与设备干涉，引导装置14也退避至退避位置L。若如图8所示卷绕辊7开始卷绕，则卷绕辊交换装置(未图示)拔出卷绕了非晶质薄带的卷绕辊6，安装新的卷绕辊。通过搬运装置(未图示)搬运卷绕了非晶质薄带的卷绕辊6，送至下一个工序。在安装新的卷绕辊之后，该卷绕辊7的位置回转，在卷绕辊6的位置上稳定地进行卷绕，反复进行这些一系列的工序，进行卷绕。\n[0093] 实施例1\n[0094] 作为本发明的实施例，铸造由原子百分比Fe：80.5％，B：15.0％，Si：3.0％，C：\n1.0％，剩余部分为不可避免的杂质构成的非晶质薄带，通过图1的装置来变更铸造速度以及板厚，并切换卷绕辊。铸造用的喷嘴的开口形状为170mm×0.85mm，向由铜合金构成的内部水冷方式的冷却辊的表面喷出，形成非晶质薄带。另外，冷却辊直径为 宽度为\n250mm，壁厚为19mm。\n[0095] 此外，卷绕辊直径为 宽度为375mm，表面上的磁力为2000G。对于切换时的卷绕辊位置而言，从设备和控制的简单化的观点出发，下一个卷绕辊7的位置设定为位于与卷绕开始时的卷绕辊6相同的位置。此时的非晶质薄带和卷绕辊的接触长度为30cm。\n[0096] 作为比较例，在专利文献2所示的方法中L1＝30cm，L2＝5m，在其他与本发明例相同的铸造条件下制造上述非晶质薄带，试着进行卷绕以及切换卷绕辊。本发明例以及比较例的向卷绕辊的卷绕厚度都为大约200mm，使铸造速度以及板厚变化，进行切换。在表1中示出结果。\n[0097] 表1\n[0098] \n[0099] 注：○：非晶质薄带切断以及前端捕捉良好，非晶质薄带不破裂，能够进行切换[0100] ×：非晶质薄带切断以及前端捕捉良好，但卷入时非晶质薄带破裂，不能够进行切换\n[0101] 在本发明例的序号1～10中，即使铸造速度以及板厚变动，卷绕辊的切换也不出现问题而能够进行，但在比较例的序号11～20中，在铸造速度慢的情况下，与板厚无关地能够进行切换，但若铸造速度变快并且板厚变厚时，虽然非晶质薄带的切断以及前端捕捉良好，但在卷入非晶质薄带时产生破裂，不能够切换卷绕辊。\n[0102] 实施例2\n[0103] 作为本发明的实施例，铸造由原子百分比Fe：80.5％，B：15.0％，Si：3.0％，C：\n1.0％，剩余部分为不可避免的杂质构成的非晶质薄带，通过图3所示的装置变更铸造速度以及板厚，切换卷绕辊。铸造用的喷嘴的开口形状为170mm×0.85mm，向由铜合金构成的内部水冷方式的冷却辊的表面喷出非晶质薄带。另外，冷却辊直径为 宽度为\n250mm，壁厚为19mm。此外，卷绕辊直径为 宽度为375mm，从表面开始5mm处的磁力为350G以上，接触长度为30cm。引导装置如图9所示是组合导辊和导板的结构，导辊为铝制，宽度为200mm，辊径为 与卷绕辊之间的间隙为15mm。导板为200mm，长度为\n300mm，为铝制，导板出口的导板和卷绕辊之间的间隙为5mm。\n[0104] 作为比较例，在专利文献2所示的方法中L1＝30cm，L2＝5m，在其他与本发明例相同的铸造条件下制造上述非晶质薄带，试着进行卷绕以及切换卷绕辊。本发明例以及比较例的向卷绕辊的卷绕厚度为大约200mm，使铸造速度以及板厚变化，进行切换。在表2中示出结果。\n[0105] 表2\n[0106] \n[0107] 注：○：非晶质薄带切断以及前端捕捉良好，非晶质薄带不破裂，能够进行切换[0108] ×：非晶质薄带切断以及前端捕捉良好，但卷入时非晶质薄带破裂，不能够切换[0109] 在本发明例的序号1～10中，即使铸造速度以及板厚变动，卷绕辊的切换也不出现问题，但在比较例的序号11～20中，在铸造速度慢的情况下，与板厚无关能够进行切换，但若铸造速度变快并且板厚变厚时，虽然非晶质薄带的切断以及前端捕捉良好，但在卷入非晶质薄带时产生破裂，不能够切换卷绕辊。\n[0110] 产业上的可利用性\n[0111] 本发明在由表面带磁性的2个以上的卷绕辊构成的卷绕装置中，在切换卷绕辊时，使上述非晶质薄带接触下一个卷绕辊，并且在使下一个卷绕辊接近冷却辊后的状态下，切断卷绕中的非晶质薄带，由此防止刚切换之后发生的非晶质薄带的破裂，从而能够可靠地进行切换。此外，本发明提供一种非晶质薄带的卷绕辊切换方法以及切换装置，在由表面带磁性的2个以上的卷绕辊构成的卷绕装置中，在切换卷绕辊时，在切断了的非晶质薄带前端卷入下一个卷绕辊之前，在下一个卷绕辊圆周方向的从与上述非晶质薄带接触的接触位置至卷入非晶质薄带为止的位置上，通过引导装置将所切断的上述非晶质薄带的前端压在下一个卷绕辊表面上，之后进行卷入，由此防止刚切换之后产生的非晶质薄带的破裂等故障，能够可靠地进行切换。