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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710196044.6
  • IPC分类号:H01L29/788;H01L29/423
  • 申请日期:
    2007-11-30
  • 申请人:
    东部高科股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN200710196044.6申请日期2007-11-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-06-04公开/公告号CN101192625
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/788
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人东部高科股份有限公司申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东部高科股份有限公司当前权利人东部高科股份有限公司
发明人朴圣根
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人郑小军
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有第一导电型源区、位于源区之下的第二导电型沟道区、位于沟道区之下的第一导电型外延层以及位于外延层之下的第一导电型漏区;形成在源区、沟道区以及外延层中的具有已编程和已擦除状态的浮置栅极,从而控制源区和漏区之间的电流;氧化物层,位于浮置栅极和该半导体衬底之间;以及适用于根据施加于源区、漏区和/或隧道栅极的电压而对浮置栅极进行编程或擦除的隧道栅极。本发明提供一种半导体器件,可以在其中储存功率控制状态,并且可以根据该功率控制状态来施加功率。另外,本发明还提供作为功率控制开关的半导体器件,可以在其中储存功率控制状态而不须施加额外的控制功率。

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