高亮度超薄光半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN03134199.3
IPC分类号：--
申请日期：
2003-09-02
申请人：
陈洪花

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高亮度超薄光半导体器件
申请号	CN03134199.3	申请日期	2003-09-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-04-14	公开/公告号	CN1489224
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	陈洪花	申请人地址	辽宁省沈阳市于洪区张士开发区中光电子有限公司金英女转变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陈洪花	当前权利人	陈洪花
发明人	陈洪花
代理机构	沈阳火炬专利事务所	代理人	王欣

摘要

本发明公开了一种高亮度超薄光半导体器件，其主要技术特点是：把面发光芯片(Chip)(A)(InGan/GaN LED Chip)用绝缘透光芯片胶粘剂(E)(UVCure)用胶粘剂，绝缘透明胶粘剂)胶粘于引线框架的Die PAD Cup上，并把从面发光芯片发射的光束中使反方向发射的光束透过绝缘透光环氧树脂胶粘剂后，被反射率高的镀有Ag的Die PAD CUP反射回来，实现向所要发射的方向，发射出更多的光束，所以能够得到更高亮度的超小型、超轻薄型SMD Type的Chip LED光半导体器件。既能使光器件受热冲击带来的应力最小化，而且能使芯片(Chip)LED超薄(Thin Thickness)化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN107210350A	2015-11-13	2015-11-13	用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件有效专利	PSI株式会社
2	CN101902877A	2010-06-08	2010-06-08	一种PCB板、晶片型LED及LED照明装置无效专利	深圳市瑞丰光电子股份有限公司
3	CN100570908C	2005-09-23	2005-09-23	LED器件失效专利	斯坦雷电气株式会社
4	CN101452904B	2008-12-02	2008-12-02	引线框架及其制造方法和受光发光装置有效专利	日立电线精密株式会社;御田护
5	CN105810656A	2014-12-31	2014-12-31	一种上引线框结构无效专利	无锡华润安盛科技有限公司

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