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垂直双沟道晶体管及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710139981.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247
  • 申请日期:
    2007-08-07
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称垂直双沟道晶体管及其制造方法
申请号CN200710139981.8申请日期2007-08-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-02-13公开/公告号CN101123275
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人尹恩贞;李成泳;金旻相;金成玟;赵慧珍
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人黄启行;穆德骏
摘要
一种晶体管,包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。

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