4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410333652.7
IPC分类号：--
申请日期：
2014-07-14
申请人：
西安永电电气有限责任公司

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专利名称	4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法
申请号	CN201410333652.7	申请日期	2014-07-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-27	公开/公告号	CN105280723A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西安永电电气有限责任公司	申请人地址	陕西省西安市经开区文景北路15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安永电电气有限责任公司	当前权利人	西安永电电气有限责任公司
发明人	曹琳
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	常亮

摘要

本发明公开了一种4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管包括：4H-SiC衬底；位于衬底上的第一4H-SiC外延层，第一4H-SiC外延层上方形成有浮结层；位于第一4H-SiC外延层和浮结层上的第二4H-SiC外延层；位于第二4H-SiC外延层上的结势垒区、结终端扩展及场限环；位于结终端扩展和场限环上方的SiO2层、以及位于部分SiO2层上的场板，场板中间形成肖特基接触窗口；位于衬底背面的欧姆接触的阴极、以及位于肖特基接触窗口内肖特基接触的阳极。本发明改善了4H-SiC浮结肖特基势垒二极管反向漏电流大的问题，同时，将传统高温离子注入工艺形成浮结结构的方法改变为刻蚀外延工艺，解决了离子注入产生晶格损伤导致器件性能下降的问题，有效提升了器件性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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