方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610099958.X
IPC分类号：C04B35/80;C04B35/58
申请日期：
2016-02-24
申请人：
厦门大学

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专利名称	方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器及其制备方法
申请号	CN201610099958.X	申请日期	2016-02-24
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-07-27	公开/公告号	CN105801152A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/80 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/71 含有宏观增强剂的陶瓷制品（C04B 35/66优先）〔3，4〕 C04B35/78 含非金属材料的〔2〕 C04B35/80 纤维、单丝、晶须、薄片或其他类似材料〔2〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;8;0;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	余煜玺;黄奇凡;罗珂
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	马应森

摘要

方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器及其制备方法，涉及传感器。方形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器设有方形石墨烯增强SiCN陶瓷的非晶态温敏元件，在方形石墨烯增强SiCN陶瓷的表面上设有两个直径相等的小孔用于连接铂丝并形成温度传感器。制备方法：制备非晶态石墨烯增强SiCN陶瓷温敏元件；制备圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷，制备方形非晶态石墨烯增强SiCN陶瓷温敏元件。利用石墨烯优异的半导体特性来增强SiCN陶瓷的半导体性质，并将其制备成有源无线温度传感器。所用原材料来源广泛,易获取。传感器的制备方法、条件均较简单。所制备的传感器可以在高温、高湿、腐蚀性和高辐射等极端恶劣的环境下稳定使用。

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