气体分配系统及等离子体祛光刻胶装置及其气体分配方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201511010558.9
IPC分类号：H01J37/32;G03F7/42
申请日期：
2015-12-30
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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专利名称	气体分配系统及等离子体祛光刻胶装置及其气体分配方法
申请号	CN201511010558.9	申请日期	2015-12-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-07-07	公开/公告号	CN106935466A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;G;0;3;F;7;/;4;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	陈妙娟;吴狄;何乃明
代理机构	上海信好专利代理事务所（普通合伙）	代理人	张妍;张静洁

摘要

一种气体分配系统及等离子体祛光刻胶装置及其气体分配方法，利用连接气体源的调气板将气体通入等离子体祛光刻胶装置内，调气板的遮挡部用于阻挡气体电离发出的紫外光，避免紫外光直接照射到晶片表面造成晶片损伤，调气板的通气部用于引导气流进入等离子体祛光刻胶装置内，利用气流中的中性自由基实现对晶片的光刻胶祛除，优化晶片表面的气流量，使晶片表面的气流量均匀分布。本发明既避免了气体电离的紫外光照射到晶片表面，又优化了晶片表面的气体流量，获得均匀的气体分布，从而实现对晶片表面的均匀刻蚀速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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