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半导体器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510113432.4
  • IPC分类号:H01L27/04;H01L29/92
  • 申请日期:
    2005-10-08
  • 申请人:
    恩益禧电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件
申请号CN200510113432.4申请日期2005-10-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-04-26公开/公告号CN1763954
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/04IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;9;2查看分类表>
申请人恩益禧电子股份有限公司申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人大窪宏明;小田典明;中柴康隆
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人穆德骏;陆锦华
摘要
本发明提供了一种电容元件,具有显示出优良生产可靠性的简单结构。本发明提供了一种半导体器件(100),该半导体包括由下电极(102)、SiCN膜(107)和上电极(113)的电容元件。在半导体衬底上的绝缘膜(101)中形成了沟槽,在该沟槽中掩埋下电极(102)。下电极(102)包括两个区域,即第一下电极(103)和第二下电极(105),它们经由绝缘膜(101)彼此隔开。

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