蚀刻方法和等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010221800.1
IPC分类号：H01L21/3065;H01J37/32
申请日期：
2020-03-26
申请人：
东京毅力科创株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	蚀刻方法和等离子体处理装置
申请号	CN202010221800.1	申请日期	2020-03-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-20	公开/公告号	CN111799170A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕 H01L21/3065 等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	后平拓;田所昌洋
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳;徐飞跃

摘要

本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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