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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510587602.6
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2015-09-16
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201510587602.6申请日期2015-09-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-02-01公开/公告号CN106373994A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人蔡英杰;陈永初;吴锡垣;龚正
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人曹玲柱
摘要
本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括一基板;一第一掺杂阱,设置于基板中;一第二掺杂阱,设置于基板中并相邻于第一掺杂阱的一第一侧;一缓冲区,设置于第一掺杂阱中并相邻于第一掺杂阱的一第二侧,第二侧与第一侧相对设置;一栅结构,设置于第一掺杂阱的第一侧上方,并沿着一第一水平方向延伸;一第一接触区,设置于缓冲区中并朝向第一掺杂阱的第二侧;一第二接触区,设置于缓冲区中并相邻于第一接触区;以及一掺杂区,设置于缓冲区中并位于第一接触区下方。

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