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纳米丝束的制备方法及纳米丝束脑电极

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910310513.5
  • IPC分类号:A61B5/0478;C22C5/06;C22C1/02;C22F1/14;C25F3/02;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2019-04-17
  • 申请人:
    深圳市脑潜能实业发展有限公司
著录项信息
专利名称纳米丝束的制备方法及纳米丝束脑电极
申请号CN201910310513.5申请日期2019-04-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-07-26公开/公告号CN110051350A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号A61B5/0478IPC分类号A;6;1;B;5;/;0;4;7;8;;;C;2;2;C;5;/;0;6;;;C;2;2;C;1;/;0;2;;;C;2;2;F;1;/;1;4;;;C;2;5;F;3;/;0;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人深圳市脑潜能实业发展有限公司申请人地址
广东省深圳市罗湖区宝安路松园西街23号松园大楼五楼508室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市脑潜能实业发展有限公司当前权利人深圳市脑潜能实业发展有限公司
发明人赵志龙;翟广志;胡志荣;高建军
代理机构深圳市精英专利事务所代理人任哲夫
摘要
本发明提供了一种纳米丝束的制备方法及纳米丝脑电极,该方法采用对共晶母合金做定向凝固处理,再结合选择性腐蚀获得纳米丝束,最后将附有纳米丝束的合金薄片焊接于电极片从而获得纳米丝脑电极。本发明的有益效果在于:提供了一种纳米丝束脑电极的制备方法,该制备工艺基于机械强度高、阻抗小,成本低的Ag‑Sn共晶合金,采用定向凝固结合选择性腐蚀的方法制成,进而可制备脑电信号采集用电极,该工艺简单、结构可控、成品率高,制成的纳米丝具有高长径比,组织形貌可控,具备优异的导电性、低的表面电阻和良好的生物相容性。

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