一种基于电容芯板的无源器件集成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710687026.1
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/768
申请日期：
2017-08-11
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于电容芯板的无源器件集成方法
申请号	CN201710687026.1	申请日期	2017-08-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-22	公开/公告号	CN107507819A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	李君;张静;郭学平
代理机构	上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张东梅

摘要

本发明公开了一种基于电容芯板的无源器件集成结构，包括：电容材料层；位于电容材料层第一面的第一电路；位于电容材料层与第一面相对的第二面的第二电路；覆盖第一电路及部分电容材料层第一面的第一介质层；覆盖第二电路及部分电容材料层第二面的第二介质层；贯穿第一介质层且与第一电路电连接的若干第一导电通孔；贯穿第二介质层且与第二电路电连接的若干第二导电通孔；位于第一介质层外表面的第三电路及第一保护层，所述第三电路与所述第一导电通孔电连接，以及位于第二介质层外表面的第四电路及第二保护层，所述第四电路与所述第二导电通孔电连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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