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源极和漏极、光致抗蚀剂图案及只读存储组件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02119839.X
  • IPC分类号:H01L21/027;H01L21/335;H01L21/8232
  • 申请日期:
    2002-05-15
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称源极和漏极、光致抗蚀剂图案及只读存储组件的制造方法
申请号CN02119839.X申请日期2002-05-15
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2003-11-26公开/公告号CN1458670
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/027IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;2查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人林顺利;杨俊仪
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人王学强
摘要
一种制造一具有源极和漏极延伸区与源极和漏极区的金属氧化物半导体结构的方法,包括在半导体基底上形成一碱性抗反射层,在该抗反射层上形成一光致抗蚀剂。曝光此一光致抗蚀剂而将一图案转移至该光致抗蚀剂上,并显影该已曝光的光致抗蚀剂,而在形成源极和漏极区的区域上方形成一开口,并且在光致抗蚀剂图案底部角落处形成一足形结构的光致抗蚀剂图案。以此光致抗蚀剂图案为掩模进行一离子注入,以同时形成一源极和漏极延伸区与一源极和漏极区。

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