有源区中含铟的垂直腔面发射激光器

发明专利无效专利

申请号：
CN02825313.2
IPC分类号：--
申请日期：
2002-12-10
申请人：
霍尼韦尔国际公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	有源区中含铟的垂直腔面发射激光器
申请号	CN02825313.2	申请日期	2002-12-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-04-06	公开/公告号	CN1605140
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	霍尼韦尔国际公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	菲尼萨公司	当前权利人	菲尼萨公司
发明人	R·H·约翰逊
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	邹光新;张志醒

摘要

量子阱和相关的垒层，包含在典型的GaAs衬底中或周围的氮(N)、铝(Al)、锑(Sb)、磷(P)和/或铟(In)，以获得长波长的VCSEL性能，如1260至1650nm范围的波长。根据本发明的特点，公开了包含至少一个由InGaAs组成的量子阱(11)、位于所述至少一个量子阱(11)两边的GaAsN垒层(12)和位于所述垒层(12)两边的GaAsN限制层(13)的垂直腔面发射激光器。也可给位于量子阱(11)的GaAsN垒层(12)两边和位于垒层(12)两边的AlGaAs限制层(13)配置InGaAs量子阱(11)。也可给位于至少一个量子阱(11)两边的AlGaAs垒层(12)和位于垒层(12)两边的GaAsN限制层(13)配置InGaAs量子阱(11)。使量子阱(11)具有50的厚度。也可使量子阱(11)具有至少40meV的深度。

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