一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010303869.9
IPC分类号：--
申请日期：
2020-04-17
申请人：
中南大学

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著录项信息

专利名称	一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法
申请号	CN202010303869.9	申请日期	2020-04-17
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-04	公开/公告号	CN111484244A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中南大学	当前权利人	中南大学
发明人	卢安贤;刘建磊;刘涛涌
代理机构	广州市红荔专利代理有限公司	代理人	胡昌国

摘要

一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法，玻璃组成摩尔比为3～7％的B2O3、15～19.5％的Al2O3、54～62％的SiO2、0～20％的MgO、0～15％的CaO和0.5～2％的SrO，其中，优选参数为6.5～7％的B2O3、15～17％的Al2O3、61～62％的SiO2、0～12％的MgO、3～15％的CaO、0.5～2％的SrO，外加澄清剂SnO20.2～0.8wt％。本发明产品密度低、应变点高、热膨胀系数适当，密度为2.470～2.622g/cm3，应变点为732～770℃,热膨胀系数为26.18～34.15×10‑7/℃，可满足显示屏对高性能电子玻璃基板的要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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