具有至少一个电容的集成电路及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00130991.9
IPC分类号：--
申请日期：
2000-09-30
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有至少一个电容的集成电路及其制造方法
申请号	CN00130991.9	申请日期	2000-09-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-04-25	公开/公告号	CN1292570
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	J·维勒尔;B·赛尔;D·舒曼
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张志醒

摘要

具有至少一个电容的集成电路，所述电容位于一个衬底(1)的表面上，电容的第一电容电极具有一个底部(T)和设置在该底部(T)上的侧部(S)。至少侧部(S)的第一侧面呈波浪形状，使得该侧面交替沿直线构成凸形和凹形，所述直线分布在一个平行于所述衬底(1)表面的平面上。所述侧部(S)可通过在沟道(V)内淀积导电材料生成，而沟道是在一个薄膜结构内制出的，薄膜的各层交替由一种第一材料和一种第二材料组成，并且相对第二材料，对第一材料进行选择性湿法腐蚀，直至到达一个第一深度。在第一电容电极上制出电容介质(KD)。以所述电容介质(KD)为界毗连一个第二电容电极(P)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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