一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区

发明专利有效专利

申请号：
CN201610630623.6
IPC分类号：H01J37/20
申请日期：
2016-08-02
申请人：
天津理工大学

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专利名称	一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区
申请号	CN201610630623.6	申请日期	2016-08-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-07	公开/公告号	CN106206227A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/02 零部件 H01J37/20 物体或材料的支承或定位装置；与支架相联的光阑或透镜的调整装置	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;2;0查看分类表>
申请人	天津理工大学	申请人地址	天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津理工大学	当前权利人	天津理工大学
发明人	罗俊;刘锐锐
代理机构	天津佳盟知识产权代理有限公司	代理人	侯力

摘要

一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区，包括探针区域和空白区域，空白区域没有晶体管，只是覆盖有SiO2为绝缘层的Si衬底，探针区域包括不少于1个的探针，每个探针包括依次排列的不少于1个的场效应晶体管，每个场效应晶体管以Si为基底材料，SiO2作为绝缘层覆盖在Si基底层表面，栅极G位于Si基底层底部中心，源极S和漏极D位于SiO2绝缘层的上部，源极S与漏极D之间为沟道区，沟道区内放置待表征样品。本发明的优点是：适于表征的材料样品不仅是半导体材料，还可是导电材料和绝缘材料，能在晶体管中构成闭合回路，实现电学性能与结构变化的实时表征，为分析检测材料的结构与电学性能之间的关系提供了新手段。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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