一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711142473.5
IPC分类号：C04B35/591;C04B35/622;C04B35/634;C04B38/06
申请日期：
2017-11-17
申请人：
华中科技大学

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专利名称	一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法
申请号	CN201711142473.5	申请日期	2017-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-08	公开/公告号	CN108002843A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/591 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/515 以非氧化物为基料的（C04B 35/50、C04B 35/51优先）〔6〕 C04B35/58 以硼化物、氮化物或硅化物为基料的〔4，6〕 C04B35/584 以氮化硅为基料的〔6〕 C04B35/587 精细陶瓷〔6〕 C04B35/591 用反应烧结获得的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;9;1;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;4;;;C;0;4;B;3;8;/;0;6查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	史玉升;刘荣臻;吴甲民;陈双;陈鹏;陈安南;文世峰
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	周磊;曹葆青

摘要

本发明属于材料成型技术领域，并公开了一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法，将光固化工艺与碳热还原氮化工艺结合，以氧化硅、碳粉等为原料，采用基于陶瓷膏体的光固化成型工艺制备出复合复杂形状件后，通过碳热还原氮化工艺将其氮化为多孔氮化硅部件。本发明所提出的工艺方法采用陶瓷膏体为原料，所制备的坯体具有较高的尺寸精度，而后处理所用的碳热还原氮化方法也具有非常好的近净成型特性，适合成型高精度复杂形状多孔氮化硅件。本发明所提出的制备方法具有工艺流程短、近净尺寸成型性好等特点，是一种具有良好工业应用前景的复杂形状多孔氮化硅件制备方法。

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