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在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710358477.0
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2017-05-19
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司;国际商业机器公司
著录项信息
专利名称在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法
申请号CN201710358477.0申请日期2017-05-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-12-08公开/公告号CN107452675A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司;国际商业机器公司申请人地址
英属开曼群岛大开曼岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格罗方德半导体公司,国际商业机器公司当前权利人格罗方德半导体公司,国际商业机器公司
发明人夏瑞克·斯蒂奎;法兰克·W·蒙特;张洵渊;布朗·匹撒拉;道格拉斯·M·崔克特
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法,其中,一种方法,举例而言,包括提供中间半导体结构,其包含金属层、布置于该金属层上方的可图型化层、及布置于该可图型化层上方的硬掩模,该中间半导体结构包含穿过该硬掩模延展到该金属层上的多个贯孔,在该中间半导体结构上方及该多个贯孔中沉积牺牲阻障层,移除介于该多个贯孔间的一部分该牺牲阻障层,同时在该多个贯孔中维持一部分该牺牲阻障层,在介于该牺牲阻障层的该遭受移除部分与该多个贯孔间的该可图型化层中形成沟槽,以及将该牺牲阻障层的该剩余部分从该多个贯孔移除。

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