使用了自旋交换引起的自旋电流的垂直SOT-MRAM存储器单元

发明专利有效专利

申请号：
CN201910505005.2
IPC分类号：--
申请日期：
2019-06-12
申请人：
闪迪技术有限公司

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著录项信息

专利名称	使用了自旋交换引起的自旋电流的垂直SOT-MRAM存储器单元
申请号	CN201910505005.2	申请日期	2019-06-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-14	公开/公告号	CN110797060A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	闪迪技术有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	闪迪技术有限公司	当前权利人	闪迪技术有限公司
发明人	G·米哈伊洛维克;O·莫森兹
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	赵志刚;赵蓉民

摘要

本发明题为“使用了自旋交换引起的自旋电流的垂直SOT‑MRAM存储器单元”。本发明提供了一种垂直自旋轨道扭矩MRAM存储器单元，其包括磁隧道结，该磁隧道结包括平面内的自由层、铁磁层以及铁磁层和自由层之间的间隔层。自由层包括垂直于平面的可切换的磁化方向。铁磁层被配置为响应于通过铁磁层的电流而生成垂直极化的自旋电流，并将垂直极化的自旋电流通过间隔层注入自由层中以改变自由层的磁化方向。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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