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发光二极管照明装置及发光二极管阵列芯片

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980160627.0
  • IPC分类号:H01L25/00;H01L33/00;F21S2/00;H05B37/00;F21V23/00
  • 申请日期:
    2009-07-31
  • 申请人:
    亿光电子工业股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管照明装置及发光二极管阵列芯片
申请号CN200980160627.0申请日期2009-07-31
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-07-25公开/公告号CN102612746A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/00IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;F;2;1;S;2;/;0;0;;;H;0;5;B;3;7;/;0;0;;;F;2;1;V;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人亿光电子工业股份有限公司申请人地址
中国台湾新北市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人亿光电子工业股份有限公司当前权利人亿光电子工业股份有限公司
发明人叶寅夫
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人姜燕;邢雪红
摘要
一种发光二极管照明装置,其包括底板、发光二极管阵列芯片以及整流单元,发光二极管阵列芯片具有基材及设置在基材上且电性连接的多个发光二极管,每一发光二极管具有堆叠于基材上的多个半导体层,整流单元与发光二极管电性连接,且整流单元会将交流电源信号转换为直流电源信号,使得这些发光二极管接收到直流电源信号后发出光源,其中整流单元与发光二极管阵列芯片分开设置于底板的不同区域上。

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