硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910068787.4
IPC分类号：--
申请日期：
2009-05-11
申请人：
南开大学

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著录项信息

专利名称	硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法
申请号	CN200910068787.4	申请日期	2009-05-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-14	公开/公告号	CN101556971
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	南开大学	申请人地址	天津市卫津路94号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南开大学	当前权利人	南开大学
发明人	张晓丹;赵颖;岳强;魏长春;侯国付;孙建;耿新华;熊绍珍
代理机构	天津佳盟知识产权代理有限公司	代理人	颜济奎

摘要

硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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