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化合物钡碲氟羟基和钡碲氟羟基非线性光学晶体及制备方法和用途

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911053848.X
  • IPC分类号:C30B29/46;C30B7/14;C01B19/00;G02F1/355
  • 申请日期:
    2019-10-31
  • 申请人:
    天津理工大学
著录项信息
专利名称化合物钡碲氟羟基和钡碲氟羟基非线性光学晶体及制备方法和用途
申请号CN201911053848.X申请日期2019-10-31
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-05-04公开/公告号CN112746327A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/46IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;0;1;B;1;9;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;3;5;5查看分类表>
申请人天津理工大学申请人地址
天津市西青区宾水西道391号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津理工大学当前权利人天津理工大学
发明人俞洪伟;周金杰;吴红萍;胡章贵
代理机构北京盛询知识产权代理有限公司代理人张海青
摘要
本发明涉及一种化合物钡碲氟羟基和钡碲氟羟基非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物化学式为BaF2Te(OH)4,分子量为371.14,采用水热法制备,所得产物直接为晶体;该晶体的分子式为BaF2Te(OH)4,分子量为371.14,属于正交晶系,空间群为Pmn21,采用水热法即得到钡碲氟羟基非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为KDP晶体的3倍,透光波段200nm至8100nm。该晶体生长过程具有操作简单,成本低,所用的试剂为无机原料,毒性低,生长周期短,物化性质稳定等优点。通过本发明所述方法获得的钡碲氟羟基非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。

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