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量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011173939.X
  • IPC分类号:C09K11/02;C09K11/88;H01L51/56;H01L51/50
  • 申请日期:
    2020-10-28
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件
申请号CN202011173939.X申请日期2020-10-28
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-02-02公开/公告号CN112300784A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/02IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;0;2;;;C;0;9;K;1;1;/;8;8;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司
发明人王好伟
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人姚楠
摘要
本发明公开了一种量子点材料、量子点膜层的图案化方法及量子点发光器件,在量子点表面修饰的光解基团在紫外光照射下发生光解生成极性改变基团,极性改变基团与光解基团的极性不同,在制作图案化的量子点膜层时,利用含有光解基团的量子点材料制作量子点薄膜,利用掩模板的遮挡采用紫外光照射量子点薄膜的相应区域,使相应区域内的光解基团光解为极性改变基团,从而改变相应区域内的量子点材料溶解性,随后采用可以溶解具有光解基团的量子点材料的溶剂清洗量子点薄膜,未被照射区域内的量子点材料被溶解去除,而相应区域被保留形成量子点膜层的图案。上述量子点膜层的图形化方法,可以避免使用碱性溶液对量子点进行显影而对量子点薄膜造成破坏。

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