首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

互连结构及其形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310102969.1
IPC分类号：H01L21/768;H01L23/522
申请日期：
2003-10-31
申请人：
国际商业机器公司;联华电子公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	互连结构及其形成方法
申请号	CN200310102969.1	申请日期	2003-10-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-02	公开/公告号	CN1501471
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人	国际商业机器公司;联华电子公司	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司,联华电子公司	当前权利人	国际商业机器公司,联华电子公司
发明人	拉里·克莱文格;斯坦利·J·克莱佩斯;陆晓玲;杰弗里·R·马里诺;安德鲁H·西蒙;王允愈;黄洸汉;杨启超
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒;魏晓刚

摘要

本发明公开了一种互连结构及其形成方法。在铜后端集成电路技术中，采用低k有机物基层间电介质的先进技术存在碳污染的问题，该问题在采用氧化物作为电介质的电路中不会出现。用于铜线的复合衬垫层使用Ti作为底层，其具有吸收碳和其它污染物的性能。通过增加隔离Ti和铜的TiN层，避免了Ti与铜反应形成高电阻化合物的公知问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供