阵列基板及其制作方法、显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201410226377.9
IPC分类号：H01L21/77;H01L27/12
申请日期：
2014-05-27
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	阵列基板及其制作方法、显示装置
申请号	CN201410226377.9	申请日期	2014-05-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-03	公开/公告号	CN104022076A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	龙春平;刘政;王祖强;任章淳
代理机构	北京中博世达专利商标代理有限公司	代理人	申健

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，其中该制作方法包括：在衬底基板上形成有源材料层、栅极绝缘层和金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括有源层的图形和包括栅极、源极、漏极、栅极线和数据线的图形；在衬底基板上形成钝化层，通过第二次构图工艺形成源极接触孔、漏极接触孔和跨桥结构接触孔；在衬底基板上形成透明导电薄膜，通过薄膜剥离工艺去除部分透明导电薄膜，以形成源极接触部分、漏极接触部分、像素电极和跨桥结构。上述制作方法降低了构图工艺的使用次数，具有制作方法简单、生产效率高、产品良率高的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供