研磨装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200880024126.5
IPC分类号：H01L21/304;B24B9/00
申请日期：
2008-06-24
申请人：
株式会社荏原制作所

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	研磨装置
申请号	CN200880024126.5	申请日期	2008-06-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-31	公开/公告号	CN101689495
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;B;2;4;B;9;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社荏原制作所	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社荏原制作所	当前权利人	株式会社荏原制作所
发明人	金马利文;草宏明;藤井将喜
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	黄剑锋

摘要

本发明具备：载置台(20)，用于保持衬底W；载置台旋转机构(40)，用于使载置台旋转；研磨头(42)，用于研磨保持在载置台上的衬底的周缘部；控制部(70)，控制载置台(20)、载置台旋转机构(40)及研磨头(42)的动作；图像取得部(61)，通过与衬底的周缘部相对配置的至少1个末端摄像部(60)取得该衬底的周缘部的图像；图像处理部(62)，处理来自图像取得部的图像；及液体喷射部(51)，向衬底的周缘部喷射具有透光性的液体，在衬底的周缘部和末端摄像部之间充满液体。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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