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半导体电极及其制造方法、和使用该半导体电极的光电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010566924.X
  • IPC分类号:H01M14/00;H01G9/20;H01G9/042
  • 申请日期:
    2004-12-07
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体电极及其制造方法、和使用该半导体电极的光电池
申请号CN201010566924.X申请日期2004-12-07
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2011-05-18公开/公告号CN102064367A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M14/00IPC分类号H;0;1;M;1;4;/;0;0;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人山田由佳;铃木信靖;森永泰规;佐佐木英弘
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明的目的在于提供一种发挥更优良的光电转换机能的光电池。本发明是包括半导体电极、电解质和对电极的光电池,其中,所述半导体电极包括具有光催化活性的氧化物半导体层;所述氧化物半导体层包括由金属氧化物构成的一次粒子凝集而成的具有凝集结构的粒子;所述一次粒子的平均粒径为1nm以上50nm以下,而且所述具有凝集结构的粒子的平均粒径为100nm以10μm以下;所述光电池通过对所述半导体电极使用与所述具有凝集结构的粒子的平均粒径实质上相同的波长的光进行照射以产生电动势。

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