芯片封装结构及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611217593.2
IPC分类号：H01L23/48;H01L21/48
申请日期：
2016-12-26
申请人：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	芯片封装结构及方法
申请号	CN201611217593.2	申请日期	2016-12-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106783776A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	当前权利人	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人	王振杰
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	孟金喆;胡彬

摘要

本发明实施例公开了一种芯片封装结构及方法，所述结构包括：衬底基板，包括第一侧面和第二侧面，所述衬底基板中形成有至少一个贯通所述第一侧面和第二侧面的通孔，所述通孔内设置第一导电柱；第一重布线层，设置在所述衬底基板的第一侧面，且与所述第一导电柱电连接；第二重布线层，设置在所述衬底基板的第二侧面，且与所述第一导电柱电连接，所述第二重布线层与第一对外连接凸点电连接；至少一个系统级封装结构，设置在所述第一重布线层远离所述衬底基板的一侧，所述系统级封装结构的第二对外连接凸点上设置有对应的锡膏层，所述锡膏层与所述第一重布线层电连接。本发明实现了芯片高集成度，提高了芯片单位面积上的输入/输出设备接口，提高芯片电学性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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