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一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310354011.5
  • IPC分类号:H01L31/0216;H01L31/18
  • 申请日期:
    2013-08-14
  • 申请人:
    中节能太阳能科技(镇江)有限公司
著录项信息
专利名称一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法
申请号CN201310354011.5申请日期2013-08-14
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2013-11-27公开/公告号CN103413840A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中节能太阳能科技(镇江)有限公司申请人地址
江苏省镇江市新区北山路9号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中节能太阳能科技(镇江)有限公司当前权利人中节能太阳能科技(镇江)有限公司
发明人魏文文;勾宪芳;王鹏;姜利凯
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人缪友菊
摘要
本发明公开了一种抗PID效应的晶体硅太阳能电池,包括硅片衬底和设置在硅片衬底上的钝化膜,所述钝化膜包括依次叠层沉积在所述硅片衬底正表面的致密层SiO2、疏松层SiO2、致密层Si3N4及疏松层Si3N4。另涉及该晶体硅太阳能电池的制备方法,包括制绒-扩散-刻蚀-氧化-PECVD-丝网印刷-烧结测试步骤。采用低温生长SiO2钝化膜和经过PECVD沉积的具有氢钝化作用和很好减反射效果的Si3N4膜构成的SiO2/Si3N4双层膜能明显改善太阳电池的性能,增强太阳能电池表面的钝化效果。

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