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一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110727954.2
  • IPC分类号:H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2021-06-29
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法
申请号CN202110727954.2申请日期2021-06-29
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-19公开/公告号CN113517390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/08IPC分类号H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市番禺区广州大学城外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人高兴森;杨文达;刘俊明;田国
代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司代理人辜丹芸
摘要
一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器,包括顶电极、铁酸铋(BFO)纳米岛和底电极,所述BFO纳米岛设于顶电极和底电极之间,且其可在外加直流偏压下由初始之字型畴结构转变为涡旋畴结构;当BFO纳米岛处于涡旋畴结构时,其涡心为一维的拓扑缺陷且具有明显高于畴区的类金属导电性;当外加磁场为0时,涡心处形成的一维导电通道可导电;当具有外加磁场时,电流在涡心处发生偏转,涡旋畴结构导电性下降,呈现出超磁阻效应。本发明还提供一种上述传感器的制备方法。相比于现有技术,该传感器具有高密度、高有序性,且在室温下具有明显的磁阻特性,同时制备工艺简单、稳定性高。

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