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在光刻装置中的反射镜应用顶层,用于光刻装置中的反射镜,包括这种反射镜的光刻装置以及器件制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410095148.4
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-10-19
  • 申请人:
    ASML荷兰有限公司
著录项信息
专利名称在光刻装置中的反射镜应用顶层,用于光刻装置中的反射镜,包括这种反射镜的光刻装置以及器件制造方法
申请号CN200410095148.4申请日期2004-10-19
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2005-04-27公开/公告号CN1609715
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人ASML荷兰有限公司申请人地址
荷兰维尔德霍芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人ASML荷兰有限公司当前权利人ASML荷兰有限公司
发明人L·P·巴克;F·J·P·舒尔曼斯
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人肖春京;黄力行
摘要
在用于光刻装置的反射镜上预定金属顶层(8)的应用,用于光刻装置的反射镜,以及具有这样反射镜或者设置了具有这样应用的顶层的反射镜的光刻装置。该装置具有提供所需波长例如EUV辐射的源(SO)。该源(SO)产生不希望有的金属颗粒流,它们在反射镜上沉积而形成较小和较大的核。顶层(8)可以与该金属沉积物的核在预定温度范围内相互扩散。因而,形成了由该金属颗粒和该顶层(8)的金属构成的一个额外合金层(14),它具有的反射率比仅仅包括该金属颗粒的层所具有的更高。

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