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原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610585108.0
  • IPC分类号:G02B3/00
  • 申请日期:
    2016-07-22
  • 申请人:
    中国工程物理研究院激光聚变研究中心
著录项信息
专利名称原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法
申请号CN201610585108.0申请日期2016-07-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-16公开/公告号CN106125166A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B3/00IPC分类号G;0;2;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请人地址
四川省绵阳市游仙区919信箱988-5分箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国工程物理研究院激光聚变研究中心当前权利人中国工程物理研究院激光聚变研究中心
发明人张传超;廖威;杨科;王海军;张丽娟;陈静;蒋一岚;蒋晓龙;栾晓雨;周海;袁晓东;郑万国
代理机构重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)代理人龙玉洪
摘要
本发明公开了一种原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法,利用二氧化碳激光辐照熔石英样品形成材料微结构调控区阵列,然后采用氢氟酸溶液刻蚀熔石英样品,得到熔石英微透镜阵列。采用以上方案,极大简化了熔石英微透镜阵列的制作流程,避免了一系列复杂的微透镜成形辅助流程,简洁高效的同时实现了微透镜形貌的精确控制,不仅实现了圆形孔径的微透镜阵列的制造,而且实现了精确高效地制造高填充系数的异形孔径微透镜,制造的熔石英微透镜阵列表面光洁,激光损伤阈值高,尤其适用于强光环境下的应用。

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