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半导体晶体脱模装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810561010.0
  • IPC分类号:C30B11/00;C30B29/42
  • 申请日期:
    2018-06-04
  • 申请人:
    广东先导先进材料股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体晶体脱模装置及方法
申请号CN201810561010.0申请日期2018-06-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-10-12公开/公告号CN108642559A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B11/00IPC分类号C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;2查看分类表>
申请人广东先导先进材料股份有限公司申请人地址
广东省清远市创兴三路16号A车间 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东先导微电子科技有限公司当前权利人广东先导微电子科技有限公司
发明人刘留;王金灵;周铁军;罗小龙
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种半导体晶体脱模装置,用于分离晶体和PBN坩埚,脱模装置包括一加热炉体、一对固定滑轨,所述加热炉体一面开设一开口,加热炉体内设置有若干加热器,所述固定滑轨包括两条导轨、连接于两条导轨之间的一固定支架、连接于两条导轨之间的一支撑平台以及连接于两条导轨之间的一底座,两条导轨自加热炉体外通过开口延伸至加热炉体内,加热炉体滑动连接在两条导轨上并能够沿着导轨滑动,支撑平台与导轨之间为滑动连接,固定支架、底座与两条导轨之间为固定连接,底座与支撑平台之间设置有一升降杆,升降杆通过伸缩来调整支撑平台与底座之间的距离。

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