晶圆的激光切割去环方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011462759.3
IPC分类号：B23K26/38;B23K26/067;B23K26/064
申请日期：
2020-12-14
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶圆的激光切割去环方法
申请号	CN202011462759.3	申请日期	2020-12-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-27	公开/公告号	CN112705859A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23K26/38 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23K 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D） B23K26/00 用激光束加工，例如焊接，切割或打孔〔2，3，2014.01〕 B23K26/36 除掉材料（B23J26/55，B23K26/57优先）〔7，2014.01〕 B23K26/38 利用镗孔或切削〔7，2014.01〕	IPC分类号	B;2;3;K;2;6;/;3;8;;;B;2;3;K;2;6;/;0;6;7;;;B;2;3;K;2;6;/;0;6;4查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	惠科石;苏亚青;谭秀文
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华

摘要

本发明公开了一种晶圆的激光切割去环方法，包括：步骤一、将晶圆放置固定在切割台上；步骤二、对激光发射器发射的入射激光束通过分光镜分成反射激光束和折射激光束；步骤三、采用反射激光束或折射激光束对晶圆的边缘环进行切割并去除，利用反射激光束或折射激光束的能量低于入射激光束能量的特点降低切割过程中的热效应。本发明能在提高激光切割光束的宽度的同时保证激光切割光束具有较低的能量，并从而能降低切割过程中的热效应并避免产生烧蚀物飞溅到边缘环内侧的晶圆表面上，从而能防止对晶圆的有效芯片晶粒产生不利影响，同时较宽的激光切割光束有利于对较薄晶圆的切割而不会产生微裂痕。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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