一种基于石墨烯的频率可重构吸波材料

发明专利有效专利

申请号：
CN201811338827.8
IPC分类号：H01Q15/00;H01Q17/00
申请日期：
2018-11-12
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种基于石墨烯的频率可重构吸波材料
申请号	CN201811338827.8	申请日期	2018-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-08	公开/公告号	CN109449602A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0;;;H;0;1;Q;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	田径;胡皓全;唐璞;陈波;包永芳;雷世文;左汉平
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	甘茂

摘要

本发明属于人工电磁吸波材料领域，提供一种基于石墨烯的频率可重构吸波材料，用以克服现有石墨烯吸波材料存在的石墨烯成本高、制备工艺难度大、制备耗时长、且相对可调节范围较窄的问题。本发明采用竖直方向的馈电结构，有效避免了馈线对金属图形层谐振特性的影响；同时，采用若干个体积很小的硅块，有效避免了采用大面积硅或III‑V族化合物等半导体材料作为基底，从而使其能够大面积制备与应用；对应采用小面积石墨烯，且无需刻蚀，有效简化石墨烯吸波材料制备工艺、大大降低石墨烯吸波材料制备成本；最后，本发明利用石墨烯的电磁损耗特性结合金属图形层设计吸波材料，大大提高石墨烯吸波材料的相对吸波带宽。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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