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肖特基二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011017839.8
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872
  • 申请日期:
    2020-09-24
  • 申请人:
    德州仪器公司
著录项信息
专利名称肖特基二极管
申请号CN202011017839.8申请日期2020-09-24
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-04-09公开/公告号CN112635319A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人德州仪器公司申请人地址
美国德克萨斯州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德州仪器公司当前权利人德州仪器公司
发明人马诺耶·梅赫罗特拉
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人林斯凯
摘要
本申请案的实施例涉及肖特基二极管。一种方法包含在半导体衬底(110)中形成第一沟槽和第二沟槽(112、122)。所述方法另外包含用多晶硅(116、126)填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。所述多晶硅(116、126)与所述半导体衬底(110)相反地经掺杂。肖特基触点(142)形成于所述半导体衬底(110)上所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)之间。所述方法还包含形成用于所述肖特基触点(142)的阳极电极(150)。所述阳极电极(150)耦合到所述第一沟槽和所述第二沟槽(112、122)中的多晶硅(116、126)。

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