空腔薄膜及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510990451.9
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2015-12-24
申请人：
杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	空腔薄膜及其制造方法
申请号	CN201510990451.9	申请日期	2015-12-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105502278A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司	申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司	当前权利人	杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
发明人	季锋;闻永祥;刘琛;孙伟
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	余毅勤

摘要

本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，其中，所述空腔薄膜的制造方法包括：提供第一掺杂浓度的P型硅片；在所述第一掺杂浓度的P型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一P型层，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一P型层变成中孔硅层，在第一掺杂浓度的P型硅片中形成纳米孔硅层；通过退火工艺使纳米孔硅层迁移形成空腔，中孔硅层在纳米孔硅层的迁移下变成种子层。本发明提供的空腔薄膜及其制造方法，与CMOS工艺兼容，可实现SON(silicon on nothing)器件与薄膜传感器的集成；制造工艺相对简单，对设备要求低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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