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导电结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210456939.X
  • IPC分类号:H01L23/528;H01L21/768
  • 申请日期:
    2012-11-14
  • 申请人:
    南茂科技股份有限公司
著录项信息
专利名称导电结构及其形成方法
申请号CN201210456939.X申请日期2012-11-14
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2013-11-13公开/公告号CN103390608A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/528IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人南茂科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹县新竹科学工业园区研发一路一号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南茂科技股份有限公司当前权利人南茂科技股份有限公司
发明人齐中邦
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人徐洁晶;陈亮
摘要
本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法,半导体芯片包含多个第一衬垫及多个第二衬垫,各第一衬垫与各第二衬垫间隔形成于半导体基材的一衬垫区上,衬垫区的第一区域位于一第二区域与一第三区域之间,第一衬垫与第二衬垫于第一区域相互交错。导电结构包含多个导电凸块,分别形成于各第一衬垫及各第二衬垫上,以使各导电凸块与第一衬垫及第二衬垫电性连接;其中,导电凸块具有一第一凸块宽度位于第一区域及一第二凸块宽度位于第二区域及第三区域的其中之一,且第一凸块宽度小于第二凸块宽度。

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