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工艺级误差对微波系统驻波比影响的测量评估方法及系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910663764.1
  • IPC分类号:G01R27/06
  • 申请日期:
    2019-07-22
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第三十八研究所
著录项信息
专利名称工艺级误差对微波系统驻波比影响的测量评估方法及系统
申请号CN201910663764.1申请日期2019-07-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-10-08公开/公告号CN110308328A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R27/06IPC分类号G;0;1;R;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第三十八研究所申请人地址
安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第三十八研究所当前权利人中国电子科技集团公司第三十八研究所
发明人王梅;张阳阳;胡子翔;吴伟;王平安;梁占刚;张平;吴文志;杨静;侯守武;彭超
代理机构合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)代理人张景云
摘要
本发明提供一种工艺级误差对微波系统驻波比影响的测量及评估方法及系统,包括以下步骤:S100,构建样件;S200,测量样件在制造过程中产生的工艺级误差,包括钎透率β1、连接器安装偏差β2、金丝拱高偏差α1和金丝键合距离偏差α2;S300,更换样件,重复上述步骤,得出该样件4个误差源对驻波比的影响。S400,测量评估,首先对误差源进行高斯加权,然后对四个权重归一化,即可得各个误差对驻波比影响的权重分配。与现有技术相比,本发明提供一种测量并评估钎透率偏差、连接器安装偏差和金丝压焊工艺对驻波比影响的方法;对样件的检测快速方便,非侵入式,对样件没有破坏性;对各个误差源进行了高斯加权分配,使这些误差对样件驻波比的影响更加科学客观。

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