单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池

发明专利有效专利

申请号：
CN201610848701.X
IPC分类号：H01L31/0224H01L31/0216H01L31/18
申请日期：
2016-09-26
申请人：
淮海工学院

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著录项信息

专利名称	单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池
申请号	CN201610848701.X	申请日期	2016-09-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106158996A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18查看分类表>
申请人	淮海工学院	申请人地址	江苏省连云港市海州区苍梧路59号淮海工学院理学院黄*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	淮海工学院	当前权利人	淮海工学院
发明人	黄增光;朱旭东
代理机构	连云港润知专利代理事务所	代理人	刘喜莲

摘要

本发明是一种单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池，其特征在于：包括单晶硅基底，所述单晶硅基底正表面采用纳米倒金字塔结构发射极，单晶硅基底的背表面采用背钝化结构；所述硅纳米倒金字塔结构发射极由硅纳米倒金字塔结构和2层钝化介质膜构成。本发明还涉及单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池的制备方法。本发明是优化电池在短波段和长波段的光谱响应，实现硅基太阳电池在整个波段（300‑1100nm）上的优异光谱响应，最终实现太阳电池效率的提高。同时保证了正面（短波）和背面（长波）的优异光电性能。