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一种外尔半金属异质结红外探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710883262.0
  • IPC分类号:H01L31/109H01L31/112H01L31/18
  • 申请日期:
    2017-09-26
  • 申请人:
    合肥工业大学
著录项信息
专利名称一种外尔半金属异质结红外探测器及其制备方法
申请号CN201710883262.0申请日期2017-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-02-16公开/公告号CN107706265A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/109IPC分类号H01L31/109;H01L31/112;H01L31/18查看分类表>
申请人合肥工业大学申请人地址
安徽省合肥市包河区屯溪路1*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥工业大学当前权利人合肥工业大学
发明人于永强;李智;卢志坚;许克伟;耿祥顺;罗林保;吴春艳
代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司代理人卢敏
摘要
本发明公开了一种外尔半金属异质结红外探测器及其制备方法,该探测器是在绝缘衬底的上表面依次设置有底电极和绝缘掩膜层;在掩膜层的中心处留有一与底电极相连通的通孔;在底电极上表面、位于通孔内依次沉积有两种不同的二维半导体材料,上层材料具备外尔半金属性质,在沉积过程中两种二维半导体材料会依次沿着垂直于底电极的方向逐层沉积生长形成范德瓦耳斯异质结;在掩膜层上方设置有顶电极,底电极与位于通孔内的下层半导体材料、顶电极与位于通孔内的上层外尔半金属材料皆形成欧姆接触。本发明的探测器制备工艺简单、可重复性强,所制备器件具有宽光谱响应、高灵敏度、响应速度快、易于集成等优异性能。

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