高介电常数复合氧化铝膜的生产方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210010959.4
IPC分类号：H01G9/045
申请日期：
2012-01-13
申请人：
西安交通大学

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专利名称	高介电常数复合氧化铝膜的生产方法
申请号	CN201210010959.4	申请日期	2012-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102568858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/045 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕 H01G9/042 以材料为特征的（H01G 11/22优先）〔6〕 H01G9/045 以铝为基的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;4;5查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	徐友龙;杜显锋;王杰;毛胜春
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陆万寿

摘要

本发明提供一种高介电常数复合氧化铝膜的生产方法，本发明能够提高铝电解电容器用阳极箔的比容。通过对目前工业生产线进行改进，实现在腐蚀铝箔表面引入高介电常数氧化物并进行纳米复合形成具有高介电常数的复合氧化铝膜介质层。该技术首先在表面改性的腐蚀铝箔表面通过湿化学方法沉积一层高介电常数氧化物前驱体，水解后，梯度热处理，然后将腐蚀铝箔浸入到形成液中纳米复合，获得一层具有高介电常数的纳米复合氧化铝膜，从而提高腐蚀铝箔高比容。与未处理的化成铝箔相比，本发明能提高铝箔比容20～50％。该技术可与目前工业电化学腐蚀扩面实现联动。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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