半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010440020.6
IPC分类号：G01R31/54;G01R31/52
申请日期：
2020-05-22
申请人：
富士电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN202010440020.6	申请日期	2020-05-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-19	公开/公告号	CN112240990A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/54	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;5;4;;;G;0;1;R;3;1;/;5;2查看分类表>
申请人	富士电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士电机株式会社	当前权利人	富士电机株式会社
发明人	中川翔
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	周爽;金玉兰

摘要

本发明提供一种半导体装置，使微型计算机能够将IPS的GND端子的开路与负载开路相区别地识别。接地端子开路检测电路将MOSFET的栅极端子连接于IPS的GND端子并且利用恒流电路进行上拉。将齐纳二极管与MOSFET并联连接，在MOSFET和齐纳二极管的并联电路与电压VCC的线之间连接恒流电路。在GND端子未开路的正常情况下，MOSFET被关断控制，齐纳二极管的击穿电压(H电平)被输出到ST2端子与GND2端子之间。在GND端子开路的情况下，MOSFET被导通控制，L电平的信号作为GND端子开路检测信号而被输出到ST2端子与GND2端子之间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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