一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210047506.9
IPC分类号：C23C14/08;C23C14/24
申请日期：
2012-02-28
申请人：
杭州电子科技大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法
申请号	CN201210047506.9	申请日期	2012-02-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102560361A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/08 氧化物（C23C 14/10优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	山东省枣庄市高新区兴仁街道光明西路1699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	航天智讯新能源（山东）有限公司	当前权利人	航天智讯新能源（山东）有限公司
发明人	黄延伟;席俊华;季振国
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	杜军

摘要

本发明涉及一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法。本发明首先采用化学纯氧化镍和碳酸锂的混合粉末，经过研磨、压片、固相反应、烧结过程制备出LixNi1-xO陶瓷靶材；然后以普通玻璃为基板，利用LixNi1-xO陶瓷靶，通过电子束蒸发镀膜系统，在适当的电子束流、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间以及后退火处理温度的条件下制备了具有p型透明导电的LixNi1-xO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内相对较高的透射率等优良光电特性。本发明方法获得的p型透明导电氧化物薄膜在透明电子学领域具有较好的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供