SiC单晶生长用坩埚

发明专利有效专利

申请号：
CN201780057604.1
IPC分类号：C30B29/36;C01B32/956;C30B23/06
申请日期：
2017-07-31
申请人：
昭和电工株式会社

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著录项信息

专利名称	SiC单晶生长用坩埚
申请号	CN201780057604.1	申请日期	2017-07-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-03	公开/公告号	CN109715868A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;0;1;B;3;2;/;9;5;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;6查看分类表>
申请人	昭和电工株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昭和电工株式会社	当前权利人	昭和电工株式会社
发明人	野口骏介;大矢信之
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	刘航;段承恩

摘要

一种SiC单晶生长用坩埚，是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚，所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度，所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分，所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分，所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域，所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。

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