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一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010779602.7
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/60;G06K19/077
申请日期：
2020-08-05
申请人：
黄石市星光电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法
申请号	CN202010779602.7	申请日期	2020-08-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-01	公开/公告号	CN112017972A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;G;0;6;K;1;9;/;0;7;7查看分类表>
申请人	黄石市星光电子有限公司	申请人地址	湖北省黄石市经济技术开发区汪仁镇鹏程大道东98号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	黄石市星光电子有限公司	当前权利人	黄石市星光电子有限公司
发明人	马兴光
代理机构	深圳市创富知识产权代理有限公司	代理人	尹丽华

摘要

本发明公开了一种新型智能卡双界面倒封装模块的制作方法，该方法将传统的绑定芯片封装工艺改为芯片倒扣通过锡点焊接的工艺解决芯片模块封装的问题。这样原来载带焊接面的金层可以降低到0.02um左右。可以直接将焊接面的成本降低90％，大大节省了生产成本。同时因为锡点的焊接面积大，比绑定金线或者合金线焊接点按触面大上百倍，所以焊接的可靠性能更好，卡片在使用过程中更不易损坏。

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