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高压晶闸管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810047773.X
  • IPC分类号:H01L21/332;H01L29/74
  • 申请日期:
    2008-05-13
  • 申请人:
    杨景仁
著录项信息
专利名称高压晶闸管及其制造方法
申请号CN200810047773.X申请日期2008-05-13
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2009-11-18公开/公告号CN101582380
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/332IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;4查看分类表>
申请人杨景仁申请人地址
湖北省襄樊市高新区团山镇高新区111信箱硅海电子 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杨景仁当前权利人杨景仁
发明人杨景仁
代理机构襄阳中天信诚知识产权事务所代理人何静月
摘要
一种高压晶闸管及其制造方法,在N型硅片上扩散P型杂质,形成结深浅浓度低的相同的P1区和P2区,表面浓度10~15mv(1mA测试电流,下同),结深90~100μm;在P1区表面涂P型杂质源再扩散,形成结深较浅、浓度较低的P2区和结深深、浓度高的P1区,P2表面浓度8~10mv,结深110~130μm;P1表面浓度0.1~3mv,结深120~145μm;在P2区扩散N型杂质形成N2层,N2表面浓度0.08~0.11mv,结深15~22μm;在P1和N2表面制造欧姆接触层形成电极。通过制造不对称的P1区和P2区,达到协调正反向阻断电压对称性和降低通态电压效果,元件通态电压下降10~15%。

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